炒股配资在线这一决定意味着三星已全面完成1c纳米内存技术的研发

来源：股票配资广东网站：融贷无忧配资,小牛配资,排名前十证券公司日期：2025-07-11 16:08:45 查看：169

据韩国媒体报道，7月1日，三星电子在当地时间下午正式批准了其第六代10nm级DRAM内存工艺——1c纳米的生产准备。这一决定意味着三星已全面完成1c纳米内存技术的研发，即将迈入量产阶段。

三星即将推出的HBM4 12Hi内存产品将采用基于1c纳米工艺的DRAM芯片，该技术的性能表现预计将对三星电子DS部门存储器事业部未来一至两年的营收状况产生重要影响。

在此之前，SK海力士与美光也已相继完成第六代20~10nm制程DRAM技术的开发。至此，全球三大存储器厂商在推进工艺制程进入10nm门槛的进程中均取得了关键进展。

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